晶體管MOSFET有三個極，分別是源極（S）、柵極（G）和漏極（D）。它們能有效控制源極和漏極觸點之間的電流流動，通過柵極加電壓。可通過改變電壓使電通道出現或消失；相應地，也能使電氣元件接通或關閉。使用半導體可使不同類的雜質隔離。這意味著攜帶不同信號的電荷可有效隔絕，形成障壁，阻止電荷的區域間流動。

晶體管MOSFET
電流從柵極到源極的傳遞將導致電流從漏極流向源極。當沒有電流通過或通過電流較小時，漏極-源極電阻勢必會很大。但應當明確，微控制器工作電壓為5v或3.3v時，與微控制器配套的MOSFET可能需要10-15的柵極和源極電勢差，以使漏極和源極之間電阻達到最低水平。

晶體管MOSFET柵極和源極之間的電容可防止不同狀態間的迅速切換。內部電容上電壓的快速變化需要大電流。它必須在變化（源極）和放電（槽）之間進行自動切換。柵極所加電壓的改變會導致漏極和源極間電阻的同時改變。電壓的高低將與電阻的大小直接相關。功率MOSFET針對大功率級應用設計。

MOSFET晶體管的不同類型
PMOS邏輯
如前所述，MOSFET的集成實現了相較于BJT的高電路效率。P通道MOSFET能夠與PMOS邏輯一同實現數字電路和邏輯門。

NMOS邏輯
除了N通道MOSFET應用于邏輯門和相關數字電路之外，NMOS邏輯和PMOS邏輯類似。一般情況下，N通道MOSFET可能比P通道MOSFET更小型，從而在某些情況下更具吸引力。但NMOS邏輯有持續功耗，而PMOS邏輯沒有。

CMOS邏輯
互補金屬氧化物半導體（CMOS）邏輯是一種集成電路生產技術。此類電路廣泛應用于各種電氣組件，并能發電。P通道和N通道MOSFET均與互聯的柵極和漏極聯用，從而降低功耗，減少余熱產生。

耗盡型MOSFET器件
耗盡型MOSFET器件在MOSFET器件中較不常見。耗盡型MOSFET器件通道電阻小，一般認為通道"開啟"。當設定為無功耗狀態時，這些開關將根據自身設計工作。通道電阻呈線性關系，在信號幅度范圍內失真低。

MISFETs
所有MOSFET均屬于MISFET（金屬絕緣層半導體場效應晶體管），但并非所有的MISFET均屬于MOSFET。這類組件內的門邏輯絕緣層為MOSFET中所用的二氧化硅，但也可能使用其他材料。門邏輯位于柵極下方，MISFET通道上方。

浮柵MOSFET（FGMOS）
浮柵MOSFET有一個額外的電絕緣浮柵。它能在直流電中生成一個浮動節點，同時在浮柵上方生成一系列輔助柵輸入。在其眾多用途中，FGMOS通常用作浮柵存儲單元。

功率MOSFET
功率MOSFET為垂直結構，而非平面結構。這一結構使功率MOSFET能同時保持高阻塞電壓和高電流。該晶體管的額定電壓與N溝道外延層的摻雜和厚度直接相關，額定電流由通道寬度決定。組件區域和這類器件維持的電流大小間也有直接的聯系。功率MOSFET具有低柵驅動功能、迅速的切換速度和先進的并聯功能。

DMOS
功率MOSFET是雙擴散金屬氧化物半導體，有橫向和縱向兩種。大多數功率MOSFET利用該技術構造。

MOS電容器
這類電容器結構同MOSFET，且MOS電容器兩側有雙P-N端。MOS電容器通常用作內存芯片存儲電容器并為圖像傳感器技術中的電荷耦合元件（CCD）提供支持。

TFT
薄膜晶體管（TFT）是一種特殊的MOSFET。其中的不同之處在于薄膜晶體管（TFT）涉及半導體薄膜，以及邏輯層和金屬觸點在支撐基板上的沉積。使用的半導體材料各式各樣，其中硅最常用。它可以做到高透明度，用于生產視頻顯示面板。

雙極MOS晶體管
BiCMOS是一種集BJT和CMOS晶體管于一個單芯片上的集成電路。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功能類似于MOSFET和雙極結型晶體管（BJT）。

MOS傳感器
當前已成功研發出一系列MOS傳感器，可精確測量物理、化學、生物和環境變量。開柵FET（OGFET）、離子敏場效應晶體管（ISFET）、氣體傳感器FET、電荷流動晶體管（CFT）及酶場效應晶體管等都屬于MOS傳感器。電荷耦合元件（CCD）和有源像素傳感器（CMOS傳感器）等常用于數字成像。

多柵極場效應晶體管
雙柵MOSFET有四極管配置，電流大小由兩個柵極控制。雙柵MOSFET常用于射頻應用中的小信號器件，降低與密勒效應相關的增益耗損。這一點當共源共柵配置中的單獨晶體管更換時可實現。

RHBD
這種環形柵晶體管常用于制作抗輻射加固設計（RHBD）器件。MOSFET的柵極通常圍繞著漏極。漏極靠近ELT的中心。如此，MOSFET的源極圍繞柵極。H柵極是另一種類型的MOSFET，確保了最低的輻射泄露。

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